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公司沿革
2008 ⬩ 2009 ⬩ 2010 ⬩ 2011 ⬩ 2012 ⬩ 2013 ⬩ 2014
2015 ⬩ 2016 ⬩ 2017 ⬩ 2018 ⬩ 2019 ⬩ 2020 ⬩ 2021
2022 ⬩ 2023
2015 ⬩ 2016 ⬩ 2017 ⬩ 2018 ⬩ 2019 ⬩ 2020 ⬩ 2021
2022 ⬩ 2023
•公司核准設立登記，實收新台幣 5,000 仟元。公司現金增資 50,000 仟元，實收新台幣 55,000 仟元。
2008-07
•發表使用於 LCD CCFL 背光模組成對之 T1-40VN 與 T1-40VP MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證採用。
•推出應用於主機板與筆記型電腦等電池電源管理之 T1-30VP MOSFET 系列產品，並獲得客戶認證採用。
•發表應用於筆記型電腦 CPU/GPU 電源管理之 Vcore 成對 T1-30VN MOSFET 產品，並通過客戶驗證使用。
•發表應用於高階主機板 CPU/GPU 電源管理之 Vcore 成對 T1-25VN MOSFET 產品，並通過客戶驗證使用。
•公司現金增資 145,000 仟元，實收新台幣 200,000 仟元。
•推出應用於主機板與筆記型電腦等電池電源管理之 T1-30VP MOSFET 系列產品，並獲得客戶認證採用。
•發表應用於筆記型電腦 CPU/GPU 電源管理之 Vcore 成對 T1-30VN MOSFET 產品，並通過客戶驗證使用。
•發表應用於高階主機板 CPU/GPU 電源管理之 Vcore 成對 T1-25VN MOSFET 產品，並通過客戶驗證使用。
•公司現金增資 145,000 仟元，實收新台幣 200,000 仟元。
2008-09
•完成應用於 LCD CCFL 背光模組成對之 T1-60VN 與 T1-60VP MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證採用。
•發表 T1-20VN MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證使用。
•發表 T1-20VN MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證使用。
2008-10
•通過 SGS ISO 9001 認證。
•成功推出平面式高電壓 P1-600VN MOSFET 及 P1-650VN HV MOSFET 系列產品。
•成功推出平面式高電壓 P1-500VN HV MOSFET 系列產品。
•發表應用於車用市場及手電動工具使用之 T1-100VN MOSFET 系列產品，並取得客戶驗證與採用。
•成功推出應用於高階筆記型電腦與高階圖形顯示卡之 DFN5X6 封裝 30VN MOSFET 系列產品。
•應用於電動機車馬達驅動電源控制之 T1-75VN MOSFET 系列產品開發完成，並通過客戶驗證。
•成功推出平面式高電壓 P1-600VN MOSFET 及 P1-650VN HV MOSFET 系列產品。
•成功推出平面式高電壓 P1-500VN HV MOSFET 系列產品。
•發表應用於車用市場及手電動工具使用之 T1-100VN MOSFET 系列產品，並取得客戶驗證與採用。
•成功推出應用於高階筆記型電腦與高階圖形顯示卡之 DFN5X6 封裝 30VN MOSFET 系列產品。
•應用於電動機車馬達驅動電源控制之 T1-75VN MOSFET 系列產品開發完成，並通過客戶驗證。
2008-11
•成功完成特殊客戶需求車用市場與手電動工具使用之低閘極導通電壓 T1-150VN low Vth MOSFET 產品，以及常規 T1-150VN MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證使用。
•發表 T1-20VP MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證使用。
•發表 T1-20VP MOSFET 系列產品，並通過客戶驗證使用。
•成功推出平面式高電壓 P1-700VN HV MOSFET 系列產品。
2009-04
•開發完成 T1-100VP MOSFET，並將其與 T1-100VN MOSFET 共同搭配，整合於單一封裝內應用於馬達驅動控制開關。
2009-05
•成功推出 DFN3X3 封裝之 30VN MOSFET 系列產品，以更佳之散熱能力與更小的所需 PCB 版佔用面積，提供客戶優質的方案取代舊有 SOP-8 封裝，獲得客戶驗證認同並廣泛應用。
•發表應用於車用市場使用之 T1-200VN MOSFET 系列產品，並取得客戶驗證與採用。
•發表應用於車用市場使用之 T1-200VN MOSFET 系列產品，並取得客戶驗證與採用。
2009-07
•使用於 LED 背光模組之 T1-80VN MOSFET 系列產品成功完成開發，並獲得客戶驗證採用。
2009-08
•開發完成低閘極導通電壓之 30VN low Vth MOSFET，應用於可攜式產品所需 SOT-23 及 SC-70 等微小化封裝。
2009-11
•公司現金增資 50,000 仟元，實收新台幣 250,000 仟元。
•開發完成低閘極導通電壓之 30VP low Vth MOSFET，應用於可攜式產品所需 SOT-23 及 SC-70 等微小化封裝。
2010-06
•量產 300 毫安培、2 安培以及 3 安培低壓降線性穩壓器。
2010-07
•公司現金增資 17,000 仟元，實收新台幣 267,000仟元。
2010-09
•量產降壓切換式穩壓器，可提供同步模式與單獨模式操作。
2010-10
•推出使用於 LED 背光模組之 T1-250VN MOSFET 系列產品，並獲得客戶驗證採用。
2010-12
•量產 30W AC/DC 切換式穩壓器，超低啟動電流 <6uA 為業界最低。
•成功推出平面式高電壓 P1-900VN HV MOSFET 系列產品。
•成功推出平面式高電壓 P1-800VN HV MOSFET 系列產品。
•成功推出平面式高電壓 P1-900VN HV MOSFET 系列產品。
•成功推出平面式高電壓 P1-800VN HV MOSFET 系列產品。
•量產 LED 應用電流模式切換式穩流器，為台灣第一家針對 LED 短路做完整保護的高壓降壓控制 IC。
•量產 30W AC/DC 切換式穩壓器，無載損耗低於 100m 瓦。
•量產 30W AC/DC 切換式穩壓器，無載損耗低於 100m 瓦。
2011-06
•量產降壓切換穩壓器，內建上端功率電晶體。
•量產 90W AC/DC 切換式穩壓器，內建 500V 超高壓啟動，無載損耗低於 50mW。
•量產 90W AC/DC 切換式穩壓器，內建 500V 超高壓啟動，無載損耗低於 50mW。
2011-10
•公司盈餘及員工紅利轉增資 11,271 仟元，實收新台幣 278,271 仟元。
2011-12
•量產 90W AC/DC 切換式穩壓器，內建 700V 超高壓啟動電晶體與 700V 超高壓功率電晶體。
•順利量產微小化 DFN2X2 封裝之 MOSFET 系列產品。
2012-06
•量產 DDR3 線性穩壓器，並通過客戶認證使用。
2012-08
•公司盈餘及員工紅利轉增資 21,729 仟元，實收新台幣 300,000 仟元。
2012-09
•股票公開發行。
2012-10
•發表薄型 PWM 控制器具備外部可調式電壓輸入，並通過客戶認證使用。
2012-12
•通過 SGS ISO 14001 認證。
•發表薄型 1 安培及 3 安培高精準低壓降線性穩壓器，並通過客戶認證使用。
•登錄興櫃股票買賣。
•發表薄型 1 安培及 3 安培高精準低壓降線性穩壓器，並通過客戶認證使用。
•登錄興櫃股票買賣。
•通過 SGS IECQ QC080000 認證。
•開發完成 G3-30VN MOSFET 產品系列，進一步降低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET。
•開發完成 G3-30VN MOSFET 產品系列，進一步降低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET。
2013-03
•隨著節能要求同步整流架構之演進，開發完成 G2-100VN 低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET。
2013-04
•量產 30W AC/DC 切換式穩壓器，具備外部過溫保護功能。
•量產 LED 高精準電流, 高功率因素切換式穩流器。
•量產 LED 高精準電流, 高功率因素切換式穩流器。
2013-05
•量產 30W AC/DC 切換式穩壓器，具備掉電保護功能。
2013-06
•隨著節能要求同步整流架構之演進，開發完成 G2-60VN 低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET。
2013-09
•公司盈餘及員工紅利轉增資 9,405 仟元，實收新台幣 309,405 仟元。
2013-10
•公司發行限制員工權利新股 15,000 仟元，實收新台幣 324,405 仟元。
2014-04
•公司子公司成立，分別為鼎巨有限公司及鼎巨投資有限公司。
2014-06
•公司收回註銷限制員工權利新股 880 仟元，實收新台幣 323,525 仟元。
2014-08
•完成 45V/50V TMBS 系列 Low VF/Low IR Trench Schottky 產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
2014-09
•公司決議購置辦公室廠房。
2014-10
•發表應用於 PAD/Cell Phone 電源管理之 0.8mmx0.8mm WLCSP 極微小封裝產品，並通過客戶驗證。
•公司轉投資設立大陸深圳杰頂科技有限公司。
•公司轉投資設立大陸深圳杰頂科技有限公司。
2014-12
•公司辦理經濟部營業地址變更為新竹縣竹北市台元街 22 號 4 樓之 1。
•公司收回註銷限制員工權利新股 3,504 仟元，實收新台幣 320,021 仟元。
•成功開發 600VN/650VN HV SJ-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•公司收回註銷限制員工權利新股 3,504 仟元，實收新台幣 320,021 仟元。
•成功開發 600VN/650VN HV SJ-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•建立 COT 架構直流轉換技術，並實現 3A 低壓 COT 直流轉換器產品系列，符合高效能轉換器之設計要求。
•完成 120V TMBS 系列 Low VF/Low IR Trench Schottky 產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
•完成 120V TMBS 系列 Low VF/Low IR Trench Schottky 產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
2015-03
•開發完成符合 skylake CPU 時序要求，電源建立需小於 65uS 之低阻抗快速負載開關。
2015-05
•領先國內外同業，開發出整合高壓製程並具有 X cap 放電功能之 AC 轉 DC 功率開關，能大幅降低待機功耗及成本。
•開發完成 G2-80VN 低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET，以符合節能要求同步整流架構之演進。
•開發完成 G2-80VN 低寄生電容、低切換功耗之系列 MOSFET，以符合節能要求同步整流架構之演進。
2015-09
•3安培線性穩壓器 EM5108，開發完成並且導入量產。
•低導通電壓，低成本，負載開關 EM5202，開發完成並且導入量產。
•低導通電壓，低成本，負載開關 EM5202，開發完成並且導入量產。
2015-10
•取得美國發明專利證書 US9,153,652B2 - POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND EDGE TERMINAL STRUCTURE THEREOF INCLUDING AN L-SHAPED ELECTRIC-PLATE。
2015-12
•成功開發 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•公司收回註銷限制員工權利新股 3,832 仟元，實收新台幣 316,189 仟元。
•公司收回註銷限制員工權利新股 3,832 仟元，實收新台幣 316,189 仟元。
•低阻抗 (45mOhm )大電流(2.5A~3.4A) Type C UBS Switch 控制器。
•成功開發低阻抗 60mOhm 逆偏電壓保護之USB Switch 控制器。
•成功開發低阻抗 60mOhm 逆偏電壓保護之USB Switch 控制器。
2016-03
•開發完成並且導入量產 2A 高效率直流轉換器。
2016-05
•成功開發 40VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
2016-07
•取得美國發明專利證書 US9,502,511B2 - TRENCH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND EDGE TERMINAL STRUCTURE INCLUDING AN L-SHAPED ELECTRIC PLATE CAPABLE OF RAISING A BREAKDOWN VOLTAGE。
2016-08
•中華徵信所調查為排名全台第 59 名積體電路設計業者。
2016-09
•開發完成並且導入量產 1 安培外部可調低靜態功耗電壓線性穩壓器。
•開發完成並且導入量產單通道低靜態功耗 2A 電源開關保護 IC。
•開發完成並且導入量產高效率高積體化電源多工切換開關。
•成功開發 60VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
•開發完成並且導入量產單通道低靜態功耗 2A 電源開關保護 IC。
•開發完成並且導入量產高效率高積體化電源多工切換開關。
•成功開發 60VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
2016-11
•獲頒財政部關務署台北關核定為海關認證合格優質企業。
•成功開發 100VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
•成功開發 100VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
2016-12
•公司收回註銷限制員工權利新股 4,629 仟元，實收新台幣 311,560 仟元。
•成功開發具狀態偵測功能的 3A 線性穩壓 IC。
•成功開發具狀態偵測功能的 3A 線性穩壓 IC。
•成功開發 80VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
2017-04
•開發完成具快速開關機及逆流回復 Power Switch(電源多工切換),符合 Power Mux 應用。
•成功開發出 200mA/500mA 具逆電壓保護功能 USB Switch 並通過 UL 安規認証。
•成功開發出 200mA/500mA 具逆電壓保護功能 USB Switch 並通過 UL 安規認証。
2017-05
•成功開發低阻抗 0.85 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•取得美國發明專利證書 US9,653,560B1 - METHOD OF FABRICATING POWER MOSFET。
•取得美國發明專利證書 US9,659,921B2 - POWER SWITCH DEVICE。
•取得美國發明專利證書 US9,653,560B1 - METHOD OF FABRICATING POWER MOSFET。
•取得美國發明專利證書 US9,659,921B2 - POWER SWITCH DEVICE。
2017-06
•開發完成 2A,高速PWM DC/DC 轉換器,符合外部低電感及電容值應用。
2017-08
•中華徵信所調查為排名全台第 57 名積體電路設計業者。
•取得台灣發明專利證書 M547757 - 功率晶片及其電晶體結構。
•取得台灣發明專利證書 M547757 - 功率晶片及其電晶體結構。
2017-09
•開發完成高壓開關控制 IC，適用於電視及顯示器高壓開關控制 IC。
•取得美國發明專利證書 US9,761,464B1- POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF。
•取得美國發明專利證書 US9,761,464B1- POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF。
•公司現金增資 41,550 仟元，實收新台幣 353,110 仟元。
2018-02
•取得台灣發明專利證書 I615889 - 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法。
2018-03
•開發完成可程式緩啟動時間之高壓開關控制器。
•開發完成並且導入量產 3A 高效率快速暫態反應低壓直流轉換器。
•成功開發低阻抗 DFN3X3 封裝 1.8 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•開發完成並且導入量產 3A 高效率快速暫態反應低壓直流轉換器。
•成功開發低阻抗 DFN3X3 封裝 1.8 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2018-04
•開發完成 150mA 高壓低靜態電流之線性穩壓器。
•取得美國發明專利證書 US9,941,357B2 - POWER MOSFET。
•取得美國發明專利證書 US9,941,357B2 - POWER MOSFET。
2018-05
•成功開發 DFN5X6 Dual chips低阻抗N1_2.5 mohm + N2_0.85 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2018-06
•開發完成並且導入量產 2A 高效率快速暫態反應低待機電流直流轉換器。
2018-07
•成功開發出低阻抗 60mOhm 1A/1.5A 具逆電壓保護功能 USB Switch。
•成功開發 DFN5X6 Dual chips 低阻抗 N1_5 mohm + N2_2 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•成功開發 DFN5X6 Dual chips 低阻抗 N1_5 mohm + N2_2 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2018-08
•榮獲 2018 年第五屆鄧白氏中小企業菁英獎證書。
•中華徵信所調查為排名全台第 42 名積體電路設計業者。
•成功開發低阻抗 DFN3X3 封裝 2.9 mohm / 40VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•中華徵信所調查為排名全台第 42 名積體電路設計業者。
•成功開發低阻抗 DFN3X3 封裝 2.9 mohm / 40VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2018-12
•成功開發出低阻抗 30mOhm 5A/20V，具逆電壓保護功能，符合 USB PD 切換開關應用及高壓電源切換開關使用。
•取得台灣發明專利證書 I643253 - 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法。
•取得台灣發明專利證書 I643253 - 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法。
•電壓轉換器控制方法及電路設計。
2019-04
•成功開發出高壓電源開關具軟啟動及電源監控功能。
2019-06
•成功開發下一代低閘極電阻 30VN MOSFET，提供高速切換之轉換元件。
2019-07
•中華徵信所調查為排名全台第 40 名積體電路設計業者。
2019-08
•獲選為 2019《富比士雜誌》亞洲最佳中小上市企業。
•獲選為 2019《天下雜誌》快速成長企業一百強。
•獲選為經濟部工業局第 5 屆潛力中堅企業。
•獲選數位時代雜誌 2019 台灣「高價值企業 100 強」。
•成功開發低成本，高轉換效率通用型電源開關。
•成功開發出具電源偵測低功耗線性穩壓器。
•獲選為 2019《天下雜誌》快速成長企業一百強。
•獲選為經濟部工業局第 5 屆潛力中堅企業。
•獲選數位時代雜誌 2019 台灣「高價值企業 100 強」。
•成功開發低成本，高轉換效率通用型電源開關。
•成功開發出具電源偵測低功耗線性穩壓器。
2019-09
•成功開發下一代低 FOM 55mohm*nQ S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2019-10
•取得美國發明專利證書 US10,388,784B2 - POWER CHIP AND STRUCTURE OF TRANSISTOR。
2019-11
•電壓轉換器的穩定度補償控制方法及電路設計。
•成功開發低顯卡高壓大電流直流轉換器。
•取得台灣發明專利證書 I679770 - 氮化鎵高電子移動率電晶體及其閘極結構。
•成功開發低顯卡高壓大電流直流轉換器。
•取得台灣發明專利證書 I679770 - 氮化鎵高電子移動率電晶體及其閘極結構。
2019-12
•成功開發出具快速啟動低轉換損及電源監控功能電源開關。
•成功開發高功率 250W / 60VN S.G-MOSFET，提供高供率低溫昇之轉換元件。
•成功開發高功率 250W / 60VN S.G-MOSFET，提供高供率低溫昇之轉換元件。
•取得台灣發明專利證書 [I683516] 電源開關電路
•成功開發低導通電阻共汲極 30VN MOSFET，提供雙向保護切換之轉換元件
•成功開發低導通電阻共汲極 30VN MOSFET，提供雙向保護切換之轉換元件
2020-03
•成功開單通道低成本切換開關。
2020-05
•獲選數位時代雜誌 2020 台灣「高價值企業 100 強」。
•獲天下雜誌評選為 2020 年『天下雜誌 2000 大』第 1084 名。
•開發完成 1A 高效率快速暫態反應低待機電流直流轉換器。
•獲天下雜誌評選為 2020 年『天下雜誌 2000 大』第 1084 名。
•開發完成 1A 高效率快速暫態反應低待機電流直流轉換器。
2020-06
•取得美國發明專利證書 [US10,693,453B1] 電源開關電路。
•成功開發低導通電阻 100VN 2mOhm S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件
•成功開發低導通電阻 100VN 2mOhm S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件
2020-07
•中華徵信所調查為排名全台第 37 名積體電路設計業者。
2020-08
•成功開發雙通道快速啟動及低阻抗電源切換開關。
•成功開發 30VN Driver MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•獲選為 2020《富比士雜誌》亞洲最佳中小上市企業。
•成功開發 30VN Driver MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
•獲選為 2020《富比士雜誌》亞洲最佳中小上市企業。
2020-09
•成功開發下一代低 FOM 40mohm*nQ S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
2020-10
•取得台灣發明專利證書 [I708464] :電源電路。
•取得美國發明專利證書 US10,784,366B2 - GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF。
•取得美國發明專利證書 US10,784,366B2 - GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF。
2020-11
•取得美國發明專利證書 [US10,826,491B1] 負載開關的控制電路。
•取得美國發明專利證書 [US10,826,288B1] :電源電路。
•成功開發顯示卡之低壓高效率直流轉換器。
•取得美國發明專利證書 [US10,826,288B1] :電源電路。
•成功開發顯示卡之低壓高效率直流轉換器。
2020-12
•成功開發出雙通道低導通阻抗,高準確性電流保護開關控制器。
•獲世界卓越國際雜誌調查入圍第十一屆 LE FONTI TV 獎『年度 CEO 及年度卓越獎項』。
2021-03
•杰力榮獲英國《金融時報》頒發 2021 亞太高度成長公司。
2021-05
•獲天下雜誌評選為 2021 年『天下雜誌2000大』第 979 名。
•成功開發智能調整電源開關控制器。
•取得美國發明專利證書 US10,985,032B2 - POWER MOSFET。
•成功開發智能調整電源開關控制器。
•取得美國發明專利證書 US10,985,032B2 - POWER MOSFET。
2021-06
•獲選數位時代雜誌 2021 台灣「高價值企業 100 強」。
2021-07
•中華徵信所調查為排名全台第 36 名積體電路設計業者。
•成功開發顯示卡應用，高壓高效率直流轉換器。
•成功開發顯示卡應用，高壓高效率直流轉換器。
2021-08
•成功開發可編程，低阻抗 USB PD 電源切換開關。
2021-09
•獲選為經濟部工業局第 6 屆潛力中堅企業。
•成功開發低靜態電流，高電壓線性穩壓器。
•取得台灣發明專利證書 I739252 - 溝槽式 MOSFET 元件及其製造方法。
•成功開發低靜態電流，高電壓線性穩壓器。
•取得台灣發明專利證書 I739252 - 溝槽式 MOSFET 元件及其製造方法。
2021-10
•杰力榮獲『110 年教育部體育署運動企業認證』。
•開發完成 1A 高效率快速暫態反應直流轉換器。
•成功開發 30VN 高晶胞密度 1.1G Cell/inch square MOSFET，提供低導通阻抗高能效低溫昇之轉換元件。
•開發完成 1A 高效率快速暫態反應直流轉換器。
•成功開發 30VN 高晶胞密度 1.1G Cell/inch square MOSFET，提供低導通阻抗高能效低溫昇之轉換元件。
•取得大陸發明專利證書[CN4959926]:电源开关电路。
2022-02
•取得美國發明專利證書[US11,258,438B1] CONTROL DEVICE OF POWER SWITCH。
2022-03
•杰力榮獲英國AI商業雜誌2022商業卓越獎『Best Consumer Electronics eTailer - Taiwan』。
2022-05
•取得大陸發明專利證書[5139222] 电源电路。
•杰力榮獲天下雜誌評選為2022年『2000大企業調查』產業排名第876名；獲利率排名第92名。
•杰力榮獲遠見雜誌評選為「2022年A+企業」。
•杰力榮獲天下雜誌評選為2022年『2000大企業調查』產業排名第876名；獲利率排名第92名。
•杰力榮獲遠見雜誌評選為「2022年A+企業」。
2022-06
•成功開發智能馬達驅動控制器。
•取得台灣發明專利證書M628743 - 溝渠式功率場效電晶體。
•杰力榮獲中華徵信所評選為2022年TOP5000傑出企業中排名全台第38名積體電路設計業者。
•取得台灣發明專利證書M628743 - 溝渠式功率場效電晶體。
•杰力榮獲中華徵信所評選為2022年TOP5000傑出企業中排名全台第38名積體電路設計業者。
2022-07
•成功開發下一代低FOM 63mohm*nQ 40VN S.G-MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•杰力連續三年榮獲數位時代雜誌評選為「高價值企業100強」。
•杰力連續三年榮獲數位時代雜誌評選為「高價值企業100強」。
2022-08
•成功開發顯示卡之低壓高效率直流轉換器。
2022-09
•取得大陸發明專利證書[5491765] 负载开关的控制电路。
2022-10
•杰力科技榮獲【第十七屆金鉅獎】[年度十大企業][年度十大經理人]獎。
•取得台灣發明專利證書I779425 - 氮化鎵高電子移動率電晶體的閘極結構。
•取得台灣發明專利證書I779425 - 氮化鎵高電子移動率電晶體的閘極結構。
2022-11
•成功開發可編程,低阻抗 2CH USB PD電源切換開關。
•成功開發第二代30VN Driver MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發可編程,低阻抗 低成本1 CH USB PD電源切換開關。
•成功開發650V Low VF SiC Diode，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發第二代30VN Driver MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發可編程,低阻抗 低成本1 CH USB PD電源切換開關。
•成功開發650V Low VF SiC Diode，提供高效能低溫昇之轉換元件。
2022-12
•杰力科技成為 2022年康健雜誌｢CHR健康企業公民｣許諾企業。
•成功開發 80VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件
•成功開發第二代30VN Driver MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發650V Low VF SiC Diode，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發第二代30VN Driver MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件。
•成功開發650V Low VF SiC Diode，提供高效能低溫昇之轉換元件。
2023-04
•取得台灣發明專利證書I798676 - 氮化鎵高電子移動率電晶體
2023-06
•成功開發低阻抗單通道 USB PD3.0 電源切換開關
•杰力榮獲天下雜誌評選為2023年『2000大企業調查』產業排名第960名；獲利率排名第41名
•杰力榮獲遠見雜誌評選為「2023年A+企業」
•杰力榮獲中華徵信所評選為2023年TOP5000傑出企業中排名全台第39名積體電路設計業者
•杰力榮獲天下雜誌評選為2023年『2000大企業調查』產業排名第960名；獲利率排名第41名
•杰力榮獲遠見雜誌評選為「2023年A+企業」
•杰力榮獲中華徵信所評選為2023年TOP5000傑出企業中排名全台第39名積體電路設計業者
2023-07
•成功開發低壓,低阻抗面板電源切換開關
•成功開發高壓,低阻抗具完整保護方案面板電源切換開關
•成功開發高壓,低阻抗具完整保護方案面板電源切換開關
2023-09
•杰力科技榮獲【第二十二屆金鋒獎】[十大傑出企業] [十大傑出領導人]獎
•成功開發低導通電阻30VN 0.5mOhm S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件
•成功開發低導通電阻30VN 0.5mOhm S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件
2023-10
•成功開發下一代低FOM 33mohm*nQ 30VN S.G-MOSFET，提供高效能低溫昇之轉換元件
•成功開發低壓,低功消耗線性穩壓IC
•成功開發USB PD3.1高壓,低功消耗線性穩壓IC
•成功開發低壓,低功消耗線性穩壓IC
•成功開發USB PD3.1高壓,低功消耗線性穩壓IC
2023-11
•杰力科技成為 2023年康健雜誌｢CHR健康企業公民｣許諾企業
•杰力榮獲1111人力銀行_2023幸福企業銀獎
•杰力榮獲1111人力銀行_2023幸福企業銀獎
