發明專利-最新消息-Excelliance MOS 杰力科技

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發明專利

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2024 Dec

發明專利

2024.12.19

杰力取得美國發明專利－共汲極溝渠型功率場效電晶體TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

2024 Dec

發明專利

2024.12.05

杰力取得中華民國新型專利－功率電晶體終端區結構設計

2024 Aug

發明專利

2024.08.15

杰力取得中華民國發明專利－溝槽式金属氧化物半導體元件的分離閘極結構及其製造方法

2023 May

發明專利

2023.05.24

杰力取得中國發明專利－氮化鎵高電子移動率電晶體之閘極結構設計GaN HEMTs Design for gate structure

2023 Apr

發明專利

2023.04.24

杰力取得中華民國發明專利－MOSFET：氮化鎵高電子移動率電晶體設計改善current Collapse

2023 Mar

發明專利

2023.03.17

杰力取得美國發明專利－MOSFET: 增強溝渠式場效電晶體UIS能力之製造方法

2022 Nov

發明專利

2022.11.29

杰力取得中華民國發明專利證書－電源開關之智能閘極控制裝置

2022 Nov

發明專利

2022.11.29

杰力取得中國發明專利證書－增強型氮化鎵高電子移動率電晶體的閘極結構製造方法

2022 Nov

發明專利

2022.11.04

杰力取得中國發明專利證書－沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法

2022 Oct

發明專利

2022.10.27

杰力取得中國發明專利證書－應用於電源開關的頻率控制器

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