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杰力取得中華民國發明專利－MOSFET：氮化鎵高電子移動率電晶體設計改善current Collapse

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杰力15週年淨灘公益活動-杰力愛地球攜手做環保

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杰力取得美國發明專利－MOSFET: 增強溝渠式場效電晶體UIS能力之製造方法

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2022.08.11

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